Samsung планирует начать массовое производство 3-нм чипов в 2021 году
|
|||
Категория: --- | |||
Южнокорейская корпорация Samsung разделилась планами взяться серийное производство 3-нм полупроводниковой продукции с новейшим образом триодов GAAFET (gate-all-around FET) в 2021 году. Технологию GAAFET разрабатывается Samsung и прочими шатией с начала 2000 возрастов.
|
|||
|